彩票平台,彩票网站,彩票APP下载

　　专利摘要显示，本申请提供一种半导体器件及其制作方法，所述方法包括：提供衬底，包括第一区域与第二区域；在衬底上形成第一栅氧化层与光刻胶层；对光刻胶层进行光刻工艺形成图形化的光刻胶层，暴露出第二区域，且通过调整光刻工艺使得图形化的光刻胶层靠近第二区域一侧的侧壁向第一区域倾斜；以图形化的光刻胶层为掩膜，去除部分厚度的第一栅氧化层，以形成第二栅氧化层，第二栅氧化层的上表面与第一栅氧化层的上表面之间的过渡表面为倾斜表面；以及去除图形化的光刻胶层。本申请在不增加工艺流程的前提下，仅通过调整光刻工艺即能获得形貌平缓的栅氧交界，工艺过程简单易操作，且成本较低，能够减少后续工艺在栅氧交界处形成的残留，进而提升器件性能。